东芝美国电子元件公司(TAEC)今天宣布推出NAND闪存产品线的最新成员,采用下一代24nm新工艺制造的“SmartNAND”。
除了制造工艺从32nm升级为24nm,SmartNAND闪存还加入了一颗控制芯片,支持ECC错误校验功能,可减轻主控制器的负担,同时基本不改变协议。东芝称它能简化主控端的设计,可广泛用于便携式媒体播放器、平板机、数字电视、机顶盒和其他需要高密度非易失性存储的设备。
SmartNAND容量4GB、8GB、16GB、32GB、64GB,均有两种封装形式,分别是48-pin TSOP,尺寸20×12×1.2毫米,二是52-land PGA,尺寸18×14×1.0毫米,页面尺寸8KB,电压2.7-3.6V,在常规模式下是MLC(每单元2bit),可靠模式下伪装成SLC。
SmartNAND闪存的各种不同容量和封装型号将于2011年5-9月开始试产,第二到第四季度投入量产。