三星全球首发DDR 2.0接口64Gb MLC闪存
  • Skyangeles
  • 2011年05月13日 09:38
  • 0

三星电子今天宣布,公司已经开始生产全球首批高速toggle DDR 2.0接口MLC闪存芯片,容量为64Gb(8GB),使用20nm级工艺制造。

去年7月,三星东芝宣布共同推动Toggle DDR 2.0接口成为行业标准规范。新接口可以将闪存读写带宽提高到400Mbps,而DDR 1.0标准为133Mbps,普通SDR NAND闪存仅为40Mbps。

此次宣布的新闪存正是应用该接口的首批产品,主要针对高端智能手机、平板机和固态硬盘。三星高层表示,高速新接口的应用将让新的MLC闪存更好的满足4代智能手机、SATA 6Gbps固态硬盘以及USB 3.0产品的需求。

三星全球首发DDR 2.0接口64Gb MLC闪存

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部0条评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0