GlobalFoundries、三星携手投产28nm HKMG高性能工艺-快科技-科技改变生活

GlobalFoundries、三星携手投产28nm HKMG高性能工艺

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2011年08月31日 12:07
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GlobalFoundries、三星电子今天联合宣布，计划在双方的全球晶圆厂内同步制造基于28nm HKMG高性能低漏电率工艺的芯片。

据称，这种新工艺是专为移动设备应用处理器而设计的，包括高性能智能手机、平板机、笔记本、上网本等等设备，可凭借超低漏电晶体管提供更长的电池续航时间。相比45nm LP SoC低功耗工艺，新工艺在同等频率下可节省60％的运行功耗，在同等漏电率下可带来55％的性能提升。

2010年的时候，GlobalFoundries、三星就与IBM、意法半导体合作，开启了低功耗28nm HKMG工艺的晶圆厂同步。两种不同版本的28nm HKMG工艺都使用了Gate First技术。

实现晶圆厂同步投产后，客户的芯片可以在不同代工厂的不同晶圆厂内同步投产，而无需重新设计，从而高效利用代工资源、节省客户投资。

参与此番28nm HKMG同步投产的晶圆厂共有四座，GlobalFoundries一方有德国德累斯顿的Fab 1、美国纽约州的Fab 8，三星电子一方则有韩国器兴(Giheung)的S1、美国德克萨斯州新扩建的S2。

GlobalFoundries、三星同步投产28nm HKMG高性能工艺

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