三星拥有完全属于自己的控制器、DRAM和NAND芯片，在存储领域的实力不容小觑，其固态硬盘产品无论性能还是可靠性都首屈一指，而且得到了苹果的青睐。上一代470系列虽然采用的是SATA 3Gbps接口，但在SATA 6Gbps的世界里也并不落伍，只是有些时候还是没Intel SSD 510、美光Crucial m4、OCZ Vertex 3来得爽快，于是新款830诞生。这就是三星的第一款SATA 6Gbps接口消费级固态硬盘。
830系列依然使用了页面映射架构，以提供更高的随机和持续读写性能，但这需要大量的缓存空间，于是三星就毫不吝啬地配备了256MB DDR2，而且只用了一颗芯片(470上是两颗)。闪存芯片是三星自己的2xnm Toggle-mode DDR MLC NAND，性能上非常接近Intel、美光联合制造的ONFI 2.x NAND。
控制器不是很清楚，只知道是多核心ARM架构。三星宣称控制器是三核心的，但找不到任何资料。SandForce曾经说过，制约固态硬盘性能的其实并非控制器，而是固件、算法和内部芯片，三星也声称多核心控制器有利于提高多任务负载下的性能。
三星将会通过其Magician Software软件定期提供固件更新，用户还可借助此软件控制冗余空间比例(默认为7％)，但注意这些操作仅支持Windows操作系统。
830系列容量有64GB、128GB、256GB、512GB四种，随机读写性能最高可达800000 IOPS、36000 IOPS，持续读写性能最高可达520MB/s、400MB/s，这可是SATA 3Gbps无法匹敌的。
830还有个企业版本PM830，硬件上完全相同，但初始固件版本不同，而且还支持AES-256全盘加密。
830系列将于10月中旬上市，具体价格未公布但三星说会和470系列差不多。后者的64/128/256GB型号目前在美国新蛋上分别要115/215/385美元，略贵于m4，但比SSD 510、Vertex 3便宜多了。
本次测试的型号为顶级512GB，厚度是超薄型的7毫米，塑料外壳加铝质顶盖，但没有9.5毫米适配器，所以用在笔记本里还需要自己找个支架。
拆卸非常简单，因为它没有使用螺丝，外壳和PCB是卡扣一起的。
闪存芯片只有正面八颗，单颗容量64GB，四die封装，每个die 8GB。背面则基本是空的，只有一些走线。
持续读写测试
持续读取性能：411.5MB/s的成绩上来就拔得头筹，甩开了SSD 510、m4。
持续写入性能：330.8MB/s的表现和SSD 510差不多，但不如金士顿HyperX、Vertex 3。
随机读写测试
随机读取性能：即便比前辈慢了23％，但仍然快于任何竞争对手。
随机写入性能：几乎达到了前辈的两倍，但还是要比SF-2281产品和m4慢不少。
随机写入性能(QD=32)：加大队列深度，830的进步更加明显，达到了前辈以及SSD 510的三倍，但是相比其它三款差距还是很大的。
AS-SSD不可压缩持续读写测试
读取稍显落后但差距很小，写入则冠绝群雄。
AnandTech Storage Bench 2011高负载
AnandTech Storage Bench 2011低负载
TRIM回收测试
三星以往的固态硬盘并不注重长期使用性能，不会在运行期间回收垃圾，而是在空闲状态进行清理，结果随着时间的流逝，整体性能会越来越难看，慢慢地写入速度会只有个位数字，还不如机械硬盘。830系列是否会有改观呢？
新盘的持续读写速度可以达到400MB/s、330MB/s左右，而经过20分钟的摧残后平均写入降至220MB/s，最慢的时候100MB/s左右。
接下来测试时间延长到60分钟，平均写入就不到130MB/s了，最慢的时候只剩下50MB/s。
好消息是，如果你的操作系统支持TRIM，一个循环之后就能基本恢复如初。
功耗测试
空闲：1.22W是参测硬盘中最高的，更是前辈的4.5倍，也比SSD 510高出了接近30％。
持续写入：还是最高的，但不算很夸张，比Vertex 3略高一些。
随机写入：5.8W再次领跑，比Vertex 3也多了三分之一。
应该是因为容量差距的缘故，830 512GB的功耗相对来说比较高，256GB型号应该会低一些。
