映众(Inno3D)近日在其官方中文微博上曝光了一款新版GeForce GTX 580，最大特色一是支持四屏输出，二是采用了所谓的独家钛合力供电技术。
从照片上可以看出，该卡的版型与P1261公版非常相像，应该是一款基于公版增强而来，不过现在还只是工程样卡，显卡金手指上的保护膜还未撕去，其它一些地方也有手工焊接的痕迹，因此可能会和最终零售版有所不同。
AMD Eyefinity多屏输出让A卡有了一招独门绝迹，N卡厂商则只能借助第三方方案。映众这块卡配备了两个DVI、两个HDMI，看起来不算多但都能充分利用起来，可以同时连接四台显示器，只是映众并未透露具体使用的是哪种方案，照片因为分辨率不够高的缘故也看不出来。
供电部分也是特色所在，采用了目前最先进的DirectFET MOSFET，八相完整供电。这是由国际整流器(IR)公司推出一种的全新封装技术，完全颠覆了传统MOSFET的封装形式，从塑封壳改为铜金属外壳，并且是一上一下的设计，不同于而非传统MOSFET的一上两下。DirectFET MOSFET封装体积更小，转换效率更高(超过85.83％)，发热量更低，散热性能更强(温度低10％以上)，特别有助于提升显卡的超频性能。
另外，DirectFET MOSFET没有引脚，没有线压焊或者引线框，芯片粘贴在PCB上，大大降低了封装感抗和封装阻抗。
其实映众之前在GeForce GTX 560 Ti上就首次运用了DirectFET MOSFET，如今又将其引入到更高端的GeForce GTX 580，值得玩家期待，不过映众暂时没有透露该卡的更多具体规格，包括运行频率等等。
