美光用IBM工艺投产3D内存芯片提速15倍-快科技-科技改变生活

美光用IBM工艺投产3D内存芯片提速15倍

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2011年12月02日 14:59
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IBM、美光今天联合宣布，将会借助蓝色巨人在全球率先投入商用的TSV(硅穿孔)工艺技术，制造美光开发的混合存储立方体(HMC)内存芯片，号称可在速度上比现有内存芯片快最多15倍。

HMC芯片使用垂直管道(或者说穿孔)将多个独立芯片堆叠封装在一起，产品原型的带宽就已高达128GB/s，最终成品还会更高，而目前普通内存最高也不过12.8GB/s。与此同时，HMC能够将芯片的封装尺寸减小最多90％，同时传输数据消耗的能量也减少70％。

IBM新开发的3-D TSV制造工艺正好就是用来连接3D微架构的，将成为HMC内存投入商业性量产的基础。

IBM会在纽约州东菲什基尔(East Fishkill)的工厂，采用32nm HKMG工艺制造美光HMC内存芯片，而有关其TSV技术的更多细节将在近日的IEEE国际电子设备会议上公布。

HMC内存初期面向大规模网络、高性能计算、工业自动化等专业领域，但最终会争取进入消费级产品。

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