显卡也上天?北影GTX 560 Ti天宫评测
  • 朝晖
  • 2011年12月13日 17:36
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航天级用料长啥样?显卡PCB/供电解析

显卡也上天?北影GTX 560 Ti天宫评测

PCB布局也和GTX 560 Ti相同,而且供电相数如出一辙,不过电感、电容以及Mosfet部分都进行了全面升级。

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40nm的GF114核心。核心内集成19.5亿晶体管,拥有384个CUDA核心,64个纹理单元,32个光栅单元。公版卡默认核心频率为822MHz,这里稍微超频至835MHz。

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海力士GDDR5 0.4ns显存颗粒,单颗容量128MB,正面8颗组成1024MB/256-bit的显存规格,4008MHz的等效频率也和公版完全一样。再加上核心频率相差不多,所以实际性能应该和公版卡基本一致。

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核心供电主控来自安森美的NCP 5395T PWM芯片,最大可支持4路供电控制,同时具备供电动态容差技术,令电流持续稳定输入。

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4相核心+1相显存的供电方案算是主流水平,不过既然GTX 560 Ti天宫号称“航天级”用料,显然不可能与普通的非公版处于一次层次,下面来具体看一下。

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每相供电搭配一上一下两颗IR出品DirectFet封装的航天军工级Mosfet以及一颗驱动IC,采用铜金属封装,耐高温,在70A的输出电流下,其转换效率依然可以高达85%。由于没有引脚,DirectFET封装采用直接芯片粘贴,没有线压焊或者引线框,大大降低了封装感抗和封装阻抗。与SO-8相比,封装阻抗减少了90%以上,而封装电感也从SO-8时候的2nH减到了0.5nH,寄生效应明显减弱,这都为减少损耗提供了重要保证。

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供电电感采用最研发的wave系列R30/R50铁素体电感,“波浪形”的造型可比传统电感增加散热面积20%以上,电感温度更低,保障效能稳定以及寿命更长久。

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输入和输出端电容均来自三洋OSCON系列顶级固态电容,额定电压2V-35V,容量1μF -2700μF,ESR最低达7mΩ,分插装型和贴装型,耐热性更好,更易于调控。

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DVI接口采用金属封闭防磁处理。

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双6pin外接供电接口,在GTX 560 Ti显卡上比较常见,配合PCI-E共计可提供225W的供电能力,足以满足显卡在高负载以及超频状态下的需求。


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