在推出自己的新一代主控Indilinx Everest 2的同时，OCZ还发布了基于该主控的新款固态硬盘“Vertex 4”，同样以超高的IOPS作为最大卖点。之前两代Vertex 3/2的主控分别是SandForce SF-2218/SF-1221。
2.5寸规格的Vertex 4整体尺寸99.8×69.93×9.3毫米，重量101克，仍旧采用IMFT公司(Intel/美光合资)的25nm工艺同步NAND闪存芯片，容量128GB、256GB、512GB(单颗容量分别为16/16/32GB)，同时还有2×512MB DDR3-800缓存，未来还会增加1TB容量，以及2×256MB缓存版本。
性能方面，三款型号的最高持续读取速度均为535MB/s，写入则是200/380/475MB/s三个级别，随机4K读取性能90000 IOPS、写入性能85000 IOPS，另外最大IOPS 120000。
Vertex 4采用SATA 6Gbps接口，平均故障间隔时间200万小时，支持BCH ECC数据路径保护、256-bit AES数据加密、TRIM、动态与静态损耗均衡、幕后垃圾回收、NDurance 2.0等技术，功耗待机1.3W、读写2.5W。
Vertex 4现已出货上市，三种容量的建议零售价分别为179美元、349美元、699美元，五年质保(之前是三年)，附送3.5寸支架。
官方高清图：
【Vertex 4 512GB实物拆解】
和去年的第一代主控Everest一样，新发布的Everest 2也是一颗65nm G工艺制造的SoC芯片，基本的双核心架构也延续了下来，只不过频率从333MHz提升至400MHz，同时去掉了之前的一些限制，自然有利于提升性能。
可惜更多资料就谁也没有了。
Everest架构图：Everest 2也差不多
AnandTech拿到的测试样品是256GB、512GB两种容量版本，分别使用了十六颗双die、四die封装的Intel 25nm MLC NAND闪存芯片，单颗容量16GB、32GB。128版本应该是八颗双die 16GB。
OCZ还正在使用Everest 2主控搭配测试Intel 20nm NAND、24nm Toggle模式的新闪存，均已可正常工作，但固件还没有完成优化。OCZ透露说，未来的Vertex 4 1TB版本几乎肯定会使用来自东芝的Toggle NAND，八die封装，单颗容量64GB，比之Intel的更好。
缓存芯片在PCB正反面各有一颗，是来自美光的512MB DDR3-800 DRAM，带宽3.2GB/s。Everest 2主控会将读取请求从NAND闪存预取到DRAM缓存中，从而将传输速度推进到SATA 6Gbps接口的极限。
【随机读写性能】
Iometer 4KB随机读取
Iometer 4KB随机写入
队列深度QD=32时候的Iometer 4KB随机写入
都是相当的彪悍哪。
【持续读写性能】
Iometer 128KB持续读取：明显反常。
AS SSD不可压缩持续读取：这些好多了但还是有点儿落后。
ATTO QD=2/4/8：很明显，队列深度较低的时候Vertex 4持续读取速度非常慢，传输尺寸或者队列深度增大后才赶上来。
Iometer持续读取速度与队列深度关系图：Vertex 4不太擅长处理单个IO队列，也就是任务越繁重它反而越来劲。
为了验证，我们将3GB文件从固态硬盘拷贝到高速的RAM Disk上，Vertex 4果然表现出色。看起来OCZ还要针对低队列深度做固件优化才行。
持续写入倒是一点不弱。
【AnandTech Storage Bench 2011高负载】
平均数据率
平均读取速度
平均写入速度
磁盘工作时间
磁盘工作时间(读取)
磁盘工作时间(写入)
【AnandTech Storage Bench 2011低负载】
平均数据率
平均读取速度
平均写入速度
磁盘工作时间
磁盘工作时间(读取)
磁盘工作时间(写入)
【PCMark 7】
与三星830基本差不多但距离Vertex 3还有一点点差距，不过OCZ认为这已经足以让他们抛弃SandForce而自立门户了。
【TRIM性能】
OCZ号称Vertex 4/Everest 2能大幅减少写入放大，所以在TRIM不可用或者未启动的时候，最糟糕条件下的写入性能应该也会有大幅改进才对。
作为验证，我们向所有可用的LBA内写入持续数据，然后再写入20分钟的4KB QD=32随机数据，最后用HDTach衡量写入性能，结果发现比Everest Octane好多了。
Vertex 4还支持空闲时间垃圾回收，不过优先度非常低，必须完全空闲至少一个小时才会启动。
当然了，TRIM还是最好的，一次就可以让性能焕然如新：
【功耗】
Vertex 4的待机功耗有些过高，1.3W已经高于很多5400转2.5寸硬盘的待机功耗了。OCZ也承认这是个问题，会在下个固件版本中解决，会降低到大约0.7W。另外可以看到，三星830的也不低。
持续写入
随机写入
读写状态下还好一些，至少比三星830低不少，性能又差不多。如果新固件也能改善一下，那最好了。
