一、实物赏析
零售版全貌：三层PCB。右侧贴着标签，右上角还可以看到“高科技铁条”，这都是样品上没有的。
靠近点看：Intel美光联合出品、号称具备高可靠性的25nm HET MLC NAND闪存颗粒，TSSOP封装，最大写入量14PB，相当于每天800GB全部写满一遍的话可以坚持1.8万次或者50年。
拆解：三块PCB和两个挡板(拍虚了)。
主PCB：四颗外方内圆的芯片是SAS控制器，分别负责十四颗NAND闪存、224GB容量(可用200GB)，然后以软件RAID的方式组合起来(如此高价的东西竟然没有原生硬件方案着实奇怪)。银色散热片之下是PCI-E/SAS桥接控制器，型号为LSISAS2008 ASIC，PowerPC 440处理器架构，频率533MHz，支持即插即用，操作系统兼容性不错。
SAS控制器近照。
架构简图。
二、性能小测
Intel随卡附送了一个实用工具SSD Data Center Tool CLi，可以查看、调整部分SCSI属性和电源管理设定。
如果设为性能模式，可将持续写入性能提升几乎40％，逼近400MB/s，当然功耗和发热量也会相应增加一些(25W变35W)，且需要300LFM的风力散热辅助(加个风扇)。
因为架构设计的缘故，整个硬盘会被Windows系统识别为四块，每块可用容量200GB，格式化之后为186.31GB。
软件RAID 0也没什么不好，累加了四颗控制器和相应闪存之后，持续读写性能在ATTO测试中最高分别接近2GB/s和超过1.5GB/s，而官方标称为2GB/s、1GB/s。
