新技术让24nm闪存寿命延长13倍
  • 上方文Q
  • 2012年05月17日 14:17
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NAND闪存工艺技术不断进步,但是可靠性和使用寿命却在倒退。尽管从理论上说依然足够绝大多数人用上好几年的,但这种趋势终归让人很不爽。固态硬盘厂商STEC近日宣布了一项新技术“CellCare”,能让NAND闪存的寿命一下子延长多达13倍。

CellCare是一项硬件和固件综合技术,核心内容包括:每个内核的闪存参数追踪,可带来更少的、受控的磨损;终生闪存管理,可减少磨损、控制性能、改进性能、降低读写延迟;高级错误纠正与数字信号处理,可改进数据可靠性、最大程度减少重新读取。

加入这种技术后,24nm MLC NAND闪存的全盘写入擦除次数(program/erase cycles)可以从现有的3000次猛增到40000次,一下子就增加了13倍还多,而且寿命后期的读写重试可以最高接近100%降低到不足0.011%,擦写速度经过控制后可以基本维持原有水平或者略有减慢。

新技术让24nm闪存寿命延长13倍

STEC也正在准备基于CellCare技术的新一代企业级固态硬盘,使用自己的第四代ASIC主控制器、低成本的cMLC NAND闪存,可以连续五年做到每天都进行十次全盘随机写入,40℃高温下可保持数据完整达三个月且不损失任何性能。换言之,这相当于一块400GB的固态硬盘终身写入大约7.3PB的数据。

STEC工程师还对其进行了一系列JEDEC标准测试,包括擦写耐久性和数据保持压力测试、基于压力测试的集成电路验证、固态硬盘需求和耐久性测试等等。

据透露,CellCare技术将全面进驻STEC PCI-E、ZeuslOPS SAS、MACH16 SATA等多条固态硬盘产品线,预计今年晚些时候投产。至于是否会向其它厂商开放这种技术的授权,目前还不得而知。

新技术让24nm闪存寿命延长13倍

 

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