曝Galaxy S III、One X/S等超过40度性能骤降
  • ChrisR
  • 2012年07月16日 19:57
  • 0

资讯网站Fudzilla爆料,他们在对HTC One X评测时出现了少见的现象:手机温度超过40度时出现了性能下跌的情况。起初Fudzilla以为是Tegra 3的Bug,但在核心为自家32nm HKMG制程四核Exynos 4412的三星Galaxy S III上这一状况同样发生了,并且使用28nm制程高通骁龙S4 8260A的HTC One S也是一样。

为了说明下降幅度,Fudzilla列举了一些数据:使三星Galaxy S III内部温度达到40度并不困难,运行类似《Shadowgun》的大型游戏数分钟后即可。此时立即进行AndEBench native测试分数为9650,Java项为185;冷却至25度时这一成绩提升为9960和280。

而在CF-Bench v1.2测试时native、Java和总分在40度时分别为23966、5266和11724,冷却后提升至23473、6776和13454;和AndEBench同样Java成绩提高不少。

Fudzilla声称经过测试,HTC One X/S与LG Optimus 4X在这些测试中冷却后都有类似幅度的性能提升。笔者推测具体原因可能是由于SoC处理器过热自动降频所致,由于Fudzilla尚未使用更常见的测试软件如SunSpider等进行试验所以尚不能得出更准确的结论。本站会继续关注后续进展。

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