美光宣布世界首次量产相变内存
  • ChrisR
  • 2012年07月18日 13:53
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美光科技今日在位于美国爱达荷州的总部宣布,该公司已经开始量产面向移动设备领域的相变内存(Phase Change Memory,简称PCM)。

目前量产的产品使用45nm制程工艺,规格为1个1Gbit的PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装。目前美光该45nm PCM解决方案主要面向功能型手机市场,未来计划扩展到智能手机和平板电脑领域。

作为美光最亲密的合作伙伴,Intel也表明了力挺态度。Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的最先端,在美光的PCM技术上看到了广阔的前景和价值。

根据PCM的技术特点,使用这种存储方案的设备将拥有更短的启动时间,更低的功耗=更长的续航以及更强的耐用性。由于PCM断电后不丢失数据的特性,实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的作用。

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