ARM、GlobalFoundries今天联合宣布达成多年合作协议，将会携手致力于ARM SoC处理器在GlobalFoundries 20nm工艺和FinFET技术上的优化制造，同时还会在Mali图形核心方面加强合作。
做为协议的一部分，ARM会开发一整套的ARM Artisan物理IP，包括标准的单元库、内存编译器、POP IP方案，可以为智能手机、平板机、超轻薄笔记本等移动设备带来全新的系统性能和能耗优化。
在此之前，ARM、GlobalFoundries已经在Cortex-A系列处理器上进行了多年合作，包括多次展示28nm工艺的性能和能效收益，以及正在纽约州新工厂进行的20nm测试芯片。
GlobalFoundries 20nm-LPM工艺号称可以比28nm工艺提升最多40％的性能，同时实现栅极密度的翻番，但还不清楚什么时候能够投入量产。GlobalFoundries这两年的表现有些令人失望，良品率和产能都坑苦了AMD，希望随着纽约州新工厂的逐步完工，20nm上能有所起色。
FinFET是一种新的三维晶体管技术，是实现半导体工艺深入突破的关键之一，Intel Tri-Gat三栅极技术就是它的一个子集。该技术的研发已经进行了长达十年，不过最近才开始投入实用。除了已经实现的Intel，GlobalFoundries、台积电也都会陆续采用。
