老树开新花:OCZ Vertex 3闪存升级20nm
  • 上方文Q
  • 2013年02月20日 11:39
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虽然新的Vertex 4都发布了快一年了上代老兵Vertex 3却又焕发了新的活力,今起开始升级闪存颗粒,从25nm来到最新的20nm(初期还用过34nm),名字也改成了“Vertex 3.20”。

OCZ并没有明说新的20nm MLC NAND闪存来自哪里,但不出意外应该还是Intel与美光合作的IMFT,就是不知道是原装的还是OCZ自己封装的。

容量方面仍然是120GB、240GB、480GB,不过首发的只有前两款,480GB的要稍后才会推出(闪存供应不足吧)。

性能方面也稍有变化,主要是写入速度略微提高了一点,具体如下:

120GB:

持续读取最高:550MB/s 持续写入最高:520MB/s (旧版是500MB/s) 随机读取最高:20000IOPS 随机写入最高:40000IOPS 最大IOPS:9000

240GB:

持续读取最高:550MB/s 持续写入最高:520MB/s 随机读取最高:350000IOPS 随机写入最高:650000IOPS 最大IOPS:9000

其它规格看起来没变,还是SandForce SF-2200主控、SATA 6Gbps接口、2.5寸9.3毫米身段、原生支持TRIM、2.15W读写/0.55W待机功耗。 

老树开新花:OCZ Vertex 3闪存升级20nm

老树开新花:OCZ Vertex 3闪存升级20nm

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