GlobalFoundries今天宣布已经达成了3D堆栈芯片历程上里程碑式的关键一步，在位于美国纽约州的Fab 8新工厂内成功获得了第一块结合了硅穿孔(TSV)技术的20nm工艺晶圆。
硅穿孔(TSV)已经提出了很多年，在半导体工艺前进受阻的如今被广泛视为未来之星，有望取代目前的平面晶体管设计。简单地说，它是在硅晶圆上打出垂直的穿孔，然后填充导电材料，实现垂直堆叠集成电路之间的通信。通俗来讲，就是把芯片做成3D立体的。
不过看起来容易，硅穿孔实现起来却是困难重重。
GlobalFoundries的硅穿孔技术采用了“via-middle”(中间穿孔)的理念(还有一种后穿孔/via-last)，在完成前端流程(FEOL)之后、开始后端流程(BEOL)之前进行穿孔操作，从而避开前端制造过程中的高温，能够用铜作为填充材料。
而为了解决硅穿孔从28nm工艺向20nm的迁移，GlobalFoundries自主开发了一种解除保护机制，能在将硅穿孔导向20nm的时候尽可能地减少破坏，最终结合自己的20nm-LPM工艺，GlobalFoundries成功展示了具备关键设备属性的可工作SRAM晶圆。
不过GlobalFoundries并未透露这种工艺何时能够投入量产。根据此前说法，GlobalFoundries计划在明年量产20nm。
