容量性能双冠 三星量产16GB闪存芯片
  • ZNXF
  • 2013年04月11日 21:45
  • 0

三星宣布开始用10nm级别制程量产128Gb,3bit MLC NAND闪存芯片,这意味着单芯片16GB容量。凭借这种新芯片,三星可以扩展其128GB闪存卡的供应。

3bit MLC也叫做TLC,表示闪存芯片中的每个cell可以容纳3bit数据。我们知道闪存芯片目前主要有三种类型,分别是SLC(single-level-cell), MLC( multi-level-cell)和TLC(triple-level-cell)。SLC的寿命较长,而MLC和TLC比较便宜。三星计划采用这种闪存芯片来量产500GB以上容量的SSD,进一步推动台式机和笔记本中用SSD取代传统硬盘。

另外,在Android手机中采用这种芯片也可以在手机体积不变的前提下增加其内部存储空间。

这种新闪存芯片在存储密度和读写性能方面都达到目前业界最高标准——在DDR 2.0界面上可以达到400Mbps的数据传输率。

容量性能双冠 三星量产16GB闪存芯片

容量性能双冠 三星量产16GB闪存芯片

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0