Intel最牛逼的武器就是领先业界的半导体制造工艺，ARM自然也希望能够趁着新工艺的东风前进，只不过必须仰仗其它伙伴的进度，比如台积电、三星。ARM就相信，三星电子正在研发的14nm FinFET工艺将会大大提高ARM处理器的性能，并同时降低功耗。
ARM物理IP部门战略客户营销主管Ron Moore近日表示：“ARM的合作伙伴在设计SoC的时候加入了动态电压和频率调节(DVFS)，以便在需要的时候达到峰值性能，并在较低负载任务中提高能效。14nm FinFET工艺更低的常规运行电压扩大了高低负载下的电压范围。在一套ARM big.LITTLE处理系统中，我们可以在这一范围的上部获得更高性能，并在中部和下部获得更高能效。”
但是随着半导体技术复杂度的猛增，即便是Intel也在前进之路上面临重重困难，ARM阵营就更不好说了，ARM自己对此也有清醒的认识。
Ron Moore就表示：“在如今的高性能低功耗SoC上，伙伴们都使用自动EDA流程来部署大量的节能技术，比如时钟栅极、电源栅极、多重Vt电压、多重Vdd电压、适应性调节等等，主要体现为DVFS或者适应性电压调节(AVS)。在展望14nm FinFET工艺上的ARM技术时，我们需要确保能以这些技术或者其它方法获得足够高的能效。与此同时，我们也深刻地明白及早上市的压力，需要加速ARM处理器的进步。”
ARM今年早些时候曾保证说，更先进的制造工艺可以让ARM架构处理器集成16个甚至32个通用核心，实现更高的性能和流畅的多任务处理，但难度可想而知。更何况，四核处理器在移动领域的实用性都还备受质疑，如此众多核心其实更适合去拓展服务器应用。
低功耗一向是ARM引以为傲的地方，但随着性能的提升，功耗问题愈发凸显，比如说Cortex-A15架构就面临严重阻碍，28nm下四个核心放在一起简直就是“电老虎”，只能期待20nm去缓解。另一方面，Intel x86的功耗控制却是愈发得心应手，22nm、14nm会相继到来，以相同甚至更低的功耗跑赢ARM希望非常大。
