三星针对移动设备研发20nm 4Gb LPDDR3内存
  • P2MM
  • 2013年04月30日 18:38
  • 0

三星电子日前宣布,开始生产4GB容量低功耗LPDDR3芯片,采用20纳米级工艺技术。

新的4Gb LPDDR3移动芯片,可媲美PC中使用的标准型DRAM的性能水平,使其成为一个有吸引力的解决方案,为要求苛刻的下一代高性能智能手机和平板电脑等移动设备提供高密度多媒体存储。

4Gb LPDDR3的数据传输速度高达2133Mbp/每引脚,传输性能是之前移动内存标准LPDDR2 800Mbps的2倍以上。同时,和30纳米级的LPDDR3相比,新设备性能上提高了30%,同时功耗节省20%。

此外,通过采用三星的4Gb LPDDR3移动DRAM,原始设备制造商可以达成1个高度仅0.8mm的封包,其中包括四颗三星4Gb LPDDR3移动芯片。

三星还表示,将在2013年晚些时候,增加生产20纳米级的移动DRAM芯片。

三星针对移动设备研发20nm 4Gb LPDDR3内存

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部0条评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0