相变内存(PCM)的概念提了很多年，但早已经不是空中楼阁，而是悄然进入了实用。美光去年就首次实现了相变内存的量产，并在年底宣布已经用于诺基亚的Asha系列手机。
相变内存听起来很高端，但也没有什么神秘的。它综合了NOR、NAND等闪存的非易失性，RAM、EEPROM的位可变性、高速读写，可广泛用于PC、手机、嵌入式、消费电子等领域。
最早开发相变内存的是Numonyx(恒忆)，意法半导体、Intel各自内存部门分离出来后在2008年初共同成立的一家新公司，后来被美光收购。2009年，美光展示了1Gb相变内存，45nm工艺制造，存储单元面积0.015平方微米。2011年，三星投产了NOR兼容的65nm相变内存，并用在了三星自己的GT-E2550 GSM功能手机中，但产量和销量都极少。
2013年初，美光终于量产了面向手机的相变内存，使用45nm工艺，而且首次使用了MCP多芯片封装，以及普通的LPDDR2内存接口，LPDDR2-PCM、LPDDR2-DARM这两个内核共用同样的内存总线。
这就是使用了美光相变内存的诺基亚Asha手机。
手机主板，黄框中就是美光相变内存。
内存颗粒正反面，编号MT66R7072A，121-ball FBGA封装，尺寸11×10×0.9毫米。
侧面X光照显示，512Mb LPDDR2、1Gb LPDDR2-PCM堆叠封装在了一起，都伸出接合线与基板相连。0.9毫米的厚度中，两个内核占了0.6毫米。
内核显微照片。
左边是侧面显微照片，可见相变内存部分使用了三层铜、一层铝，45nm BiCMOS工艺。
右边是与第一个铜层相连的相变内存单元阵列细节图。每个单元面积0.011平方微米，比三星65nm 512Mb相变内存单元的0.026平方微米小了42％，同时币早期的Numonyx 90nm BiCMOS 128Mb的0.10平方微米小了足足90％。
如此高效的面积缩减不仅仅是新工艺的功劳，还得益于美光使用了一种垂直堆叠技术。
三星也在2010年就宣称，未来会使用小于20nm的工艺(暂定17nm)去生产相变内存，而且也会引入堆叠。
