全球二十大半导体厂商之一的韩国SK海力士日前宣布，目前已经完成8Gb LPDDR3低功耗内存芯片的研发，已经将样品提供给合作伙伴，预计将于年底量产。这是业界内LPDDR3内存首次达到8Gb容量，未来为高端智能手机带来更强悍的性能表现。
此前三星曾宣布开始生产4Gb LPDDR3内存，采用20nm工艺制程打造，宣称可媲美PC中使用的标准型内存的性能水平。此次SK海力士的8Gb LPDDR3同样使用20nm工艺，并将容量翻了一倍，而且相比之下封装厚度进一步降低，同一封装下可堆叠四颗芯片（容量可达到32Gb，即4GB容量）。
速度上，芯片每根引脚的传速速率可达2133Mbps，并拥有32bit的I/O总线，单通道带宽可达8.5GB/s、双通道17GB/s，性能是此前移动内存标准LPDDR2 800Mbps的2倍以上。此外，和30nm的LPDDR3相比，性能提升30%，功耗降低20%。
此外，新的8Gb LPDDR3将提供多种封装格式，可使用PoP、eMMC等目前移动设备常用的规格。
LPDDR3是目前最快移动内存芯片，主要应用与高端智能手机上（比如Galaxy S4），此次SK海力士推出的8Gb LPDDR3有望将未来智能手机的内存容量提升到4GB。
