开盖又有奖!Haswell温度、超频依然大雷
  • 上方文Q
  • 2013年06月19日 10:43
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Ivy Bridge的开盖风潮似乎还在昨天,Haswell又“惨遭毒手”了。两代产品同样都是22nm 3D晶体管工艺,封装内部硅脂都是很廉价的。Core i7-3770K被普遍发现如果开盖换用更好的硅脂和散热器,核心温度能够降低一大截。尽管也有试验得出了不同的结论,但一般来说,Ivy Bridge确实存在“开盖有奖”的问题,严重程度基本看人品。

那么,Haswell能够避免这个问题么?前期情况看比较难,工艺、硅脂没什么变化的同时,Haswell还整合了电压控制器,并引入了AVX2、TSX指令集,一级、二级缓存的数据带宽也翻了一番,都导致处理器功耗和温度进一步提升,很多型号规格变化不大但是热设计功耗增加不少就是明证,一时间关于Haswell高温的争议甚嚣尘上。

日本同学此前曾经撬开了Core i7-4770K的顶盖,但还没做任何测试。PCEVA论坛的royalk又开始了他的新一轮冒险。

测试的对象是一颗正式零售版的4770K,但遗憾的是,零售版的4770K满大街都是雷U,绝大多数超到4.5GHz都无法稳定通过拷机,完全不如工程样品。又让Intel给骗了。

而测试的这一颗更是大雷,开盖前4.5GHz都不稳定,只能跑4.4GHz,核心电压为1.25V,外部供电输入电压是默认的1.8V。内存运行在DDR3-2666 11-13-12,电压1.172V。

开盖又有奖!Haswell依然很坑爹

royalk去年的测试发现Ivy Bridge顶盖对导热能力影响不大,温差不超过0.5℃,所以关键还是在内部硅脂。这次他就省略了CPU核心直接接触散热器底座的部分,直接开盖并换上酷冷博Liquid Ultra液态金属作为导热介质。

测试平台配置:

处理器:Intel Core i7-4770K 主板:技嘉GA-Z87X-OC 内存:芝奇F3-17000CL11D-8GBXL 显卡:微星N660 TwinFrozr 2GD5/OC 硬盘:浦科特PX-128M2P 电源:安耐美Revolution 85+ 1050W 散热器:猫头鹰NH-U14S

CPU顶盖与散热器外部导热介质:采融Megahelems Rev.B原配硅脂

CPU核心与顶盖内部导热介质:去年开3770K顶盖用剩下的酷冷博Liquid Ultra

测试环境:全程空调26℃、裸机

开盖又有奖!Haswell依然很坑爹

注意:以下行为非常危险,首先会让你的CPU失去保修,其次稍不注意如果损伤核心,就会让你的CPU一命呜呼,所以大家可以围观,切勿效仿!刊登本文仅出于技术探讨目的,对任何因打开CPU顶盖而造成的问题不负责任!

开盖又有奖!Haswell依然很坑爹

零售版Core i7-4770K,生产周期L306B334。

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开盖工具是吉列剃须刀的刀片。友情提示:千万不要用钝刀片或者厚刀片去切CPU的封胶,否则很容易划伤PCB,后果就是CPU直接挂掉。为了保险起见,多买几片是不错的选择。

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还是和对待3770K一样切开顶盖四周的黑胶。注意不要用太大力道。切左边和上下的时候不要切太深,以免碰到核心和电容,当然也得小心自己的手指。

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完工后近距离特写。毫无疑问是和IVB一样很普通的硅脂。

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顶盖背后的硅脂也还是又干又硬的,和IVB的一样。

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清理残留硅脂和黑胶,可以看到比IVB多了一排Vccin输入滤波电容

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Haswell的内核很狭长。

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Liquid Ultra液态金属硅脂。

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薄薄地涂一层。不能涂太厚,否则反而会影响散热效果。

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装回顶盖的时候有个小技巧,可以在核心周围粘一些双面胶,受压力和受热后还会让PCB、顶杆粘得很牢,再次开盖也会很容易。

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最后擦干净顶盖上的硅脂和黑胶,盖回,大功告成。

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上机,准备测试。

测试运行20分钟的Prime 95 27.9 Blend模式,第10分钟起开始记录温度,20分钟之后截图。Small FTT模式固然会让温度更高,但是开盖前直接就100度了,会自动降频,就不能和开盖之后公平对比了。

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开盖前:烧机20分钟,四个核心各自平均温度为78.5、78.4、78.2、77.1℃,RealTemp录得最高温度为88℃。

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开盖后:烧机20分钟,四个核心各自平均温度为63.1、65.5、66.2、65.9℃,RealTemp录得最高温度为73℃。

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对比图:很明显了,至少这一颗4770K开盖换硅脂后核心温度大幅降低了12-15℃,平均只有65℃左右,最高也只有70多,再次证明了Intel的坑爹做法。

开盖又有奖!Haswell依然很坑爹

此外,开盖之后可以稳定跑4.5GHz。Vccin 2V、Vcore 1.315V下拷机20分钟温度最高也只有80℃,而开盖前很快就会90℃。

不管怎么说,22nm 3D晶体管工艺虽然先进,但是直接导致晶体管和内核太小、太集中,反而不好散热,这是新工艺不可避免的缺陷,而且估计会在下一代14nm上更加严重(不知道Broadwell跳票到2015年是否与此有关)。

Intel偏偏此时又放弃钎焊,改而在内核与顶盖之间使用廉价硅脂,进一步影响了散热,导致温度偏高、超频困难,不知道怎么想的。

总之,虽然这次只是个例测试,但已经足以证明老毛病依然在Haswell上存留。至于该怎么办,如果你只是普通用途,就不要纠结了,日常没什么影响的,但如果你想大幅超频(这个还不如去用工程样品),或者经常执行高负载任务、对温度很敏感,又或者有完美主义强迫症,又或者喜欢折腾和冒险,那就勇敢地去开吧骚年。

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