闪存工艺竞赛又达到了一个新的里程碑。美光日前宣布，公司已经开始样产业内最小的128Gb（16GB）MLC NAND闪存芯片，该芯片使用最新的16nm工艺，领先于目前使用的20nm工艺。
美光表示，该16nm节点不仅是目前领先的闪存工艺制程，而且对于任何出样的半导体设备来说都是最先进的。它进一步加固了美光在存储技术开发和提供最先进的半导体解决方案方面的领先地位。
据悉，美光的128Gb MCL NAND闪存芯片主要应用于消费级SSD、可移动存储（包括U盘、闪存卡）、平板、超轻薄设备、智能手机以及数据中心云存储。全新的128Gb闪存芯片将提供更好的“每平方毫米的字节数”（单晶圆最大容量可达6TB）。也就是说，单个晶圆可以可以出产更多芯片成品。
现阶段的SSD往往采用8通道闪存控制器，每个通道可连接四颗NAND闪存，所以要到达峰值性能需要32颗闪存芯片。通常240-256GB的SSD只需要16颗 128Gb的芯片，而120-128GB的只要8颗。所以目前使用20nm工艺的美光M500 SSD，128GB版本的性能就要明显低于480GB的版本。而16nm 128Gb闪存的出现，未来有望提高SSD的容量，并降低成本。
目前，美光已经选择合作伙伴对16nm 128Gb MLC闪存进行出样，预计2013年第四季度开始量产，使用该芯片的SSD会在2014年出货。
