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840 EVO是三星面向入门级市场的新款固态硬盘,除了改用新的主控和闪存,低容量型号的写入速度也得到了极大的提升,120GB的持续写入从可怜的130MB/s来到足够高的410MB/s。
同样是TLC NAND闪存颗粒,提升的秘密在哪里呢?据三星介绍,840 EVO系列加入了一个高性能缓冲“TurboWrite”,可以在空闲的时候将其中的数据传给硬盘。
SLC、MLC、TLC分别是单层、双层和三层闪存单元,TLC的写入是最耗时的,所以三星就加了这么个缓冲,本质还是TLC,但工作在SLC模式下。这就相当于把TLC当作SLC来用,性能自然可以大大提高,但仅仅是外部与缓冲器之间而已,缓冲器与硬盘之间还是老样子。
TurboWrite缓冲器的容量依型号而不同,比如1TB里划分出来了36GB,但是按照TLC、SLC的对应关系,实际能缓冲的数据量最多为12GB。
当然,1TB型号的写入性能本来就不错,这个缓冲的影响并不大,关键在低容量型号上。120/250GB里都划出来了9GB TLC,等同于3GB SLC。
从理论上讲,如果这3GB的缓冲区写满了,继续写入的话性能就会跌到普通水平,但这个要到实际测试中才能验证了。
再来说说主控,830系列是第三代MCX,840/840 Pro系列是第四代MDX,现在到了第五代MEX,内部仍是三个ARM Cortex-R架构处理器核心,但是运行频率从300MHz提升到400MHz。正是这一变化,再加上固件的优化,带动了低队列深度随机写入性能的提升,从7900来到10000 IOPS。
840 EVO系列还引入了一个新的特性“动态散热保护”(Dynamic Thermal Guard),可让固态硬盘工作在额定温度范围之外,比如说超过70℃。
看上去有点像Intel/AMD处理器、NVIDIA显卡的动态加速功能,允许短时间高温操作,然后自动降温以保护数据和硬盘,但具体细节还没有公布。
后续是为了应对笔记本中经常超过80℃情况。
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