全球第一:海力士量产16nm 8GB闪存颗粒
  • 上方文Q
  • 2013年11月21日 09:14
  • 0

韩国SK海力士今天宣布,已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒,这也是当今最先进的闪存制造工艺。

其实早在今年六月,海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存,最近投产的则是第二版,芯片尺寸更小,更具竞争力。

此外,海力士还根据16nm 64Gb闪存的规范和耐久性,成功研发了128Gb(16GB)容量版本,存储密度世界最高,计划明年初投入量产。

海力士指出,通常情况下,NAND闪存工艺越先进,单元之间的 干扰就越严重,但是他们引入了最新的Air-Gap技术来克服这种干扰,主要是将电路之间用于绝缘的基底换成了真空孔。

海力士最后称,将继续加速研发TLC NAND、3D NAND闪存技术。

全球第一:海力士量产16nm 8GB闪存颗粒

 

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0