可能很多同学不知道，Intel成立初期不是做微处理器的，而是主营SRAM、DRAM等存储芯片，只不过后来受到日本厂商的冲击，才果断转型，成就了一番霸业。
不过，Intel现在又有点重操旧业的架势，Haswell处理器中有部分集成了多达128MB eDRAM嵌入式缓存，既能辅助核显，也能作为系统四级缓存。与它相关的资料正在陆续披露，ISSCC大会上又进一步公开了更深入的细节。
芯片专家ChipWorks则从底层晶体管的角度，分析对比了Intel的这种eDRAM，发现其架构和其他同类技术有很大不同。
IBM已经使用eDRAM很多年了，45nm时代后更是成为Power处理器的标配，现在已经进入了22nm，但尚未有实际产品问世。
IBM 32nm Power7+里边集成的eDRAM
台积电、瑞萨(NEC)也在为游戏机打造的芯片里使用eDRAM，比如微软Xbox、任天堂Wii，都是更传统的DRAM堆栈加玻璃杯形电容。
不同的是，台积电采用了CUB(cell-under-bit)堆栈，位线(bitline)在电容之上，瑞萨则是反过来的COB(cell-over-bit)。
台积电65nm eDRAM(微软Xbox GPU)
瑞萨45nm eDRAM(任天堂Wii GPU)
Intel的也是COB，但在金属电介质堆栈底层内以凹洞形式做了一个MIM电容。这部分的工艺是22nm，九个金属层。
放大看电容阵列的边缘，可见M2、M3、M4三个金属层堆栈构成了电容的外层。
继续放大，可以看到与三栅极鳍片中部接触的子线(worldline)晶体管，以及末端的两个传递子线(passing wordlines)。
电容部分顶视图，显然都是矩形的，但具体材料还在分析中。
Intel表示，每一个单元单荣的容量是13fF，面积0.029平方微米，大致相当于其22nm SRAM单元面积(0.09平方微米)的三分之一，略大于IBM同类的0.026平方微米。
Intel退出DRAM行业已经几乎三十年了，现在有点借机重返的意味，但绝对不会大规模重来，指望Intel牌内存更是天方夜谭。
不过，下一代Knights Landing Xeon Phi高性能计算处理器倒是会搭配16GB eDRAM，等于128颗Haswell所用芯片，因此未来的主攻方向应该还是游戏、高性能计算。
