【三星3D V-NAND闪存官方演示】
以下来自三星固态硬盘全球峰会官方演讲,大家随便看看。
2D平面到3D立体
就像是从平房到高楼
3D堆叠改变了闪存单元的基本结构
现在已经可以做到最多32层
单元之间互不干扰(这是新工艺的最大问题)
沿用现有的光刻技术
3D堆叠可让单颗容量在三年后达到1Tb(128GB)
3D堆叠可让电流降低46%(功耗和损耗更低)
3D VS. 2D
3D闪存的材料、架构、整合之变,酝酿十年了
【三星3D V-NAND闪存官方演示】
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2D平面到3D立体
就像是从平房到高楼
3D堆叠改变了闪存单元的基本结构
现在已经可以做到最多32层
单元之间互不干扰(这是新工艺的最大问题)
沿用现有的光刻技术
3D堆叠可让单颗容量在三年后达到1Tb(128GB)
3D堆叠可让电流降低46%(功耗和损耗更低)
3D VS. 2D
3D闪存的材料、架构、整合之变,酝酿十年了