飞利浦找到用于下一代存储器的新材料
  • zhengogo
  • 2005年03月18日 09:18
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路透社在阿姆斯特丹报道说,飞利浦电子日前宣布了一种碲锑化合物,可以用来制造新一代的高性能半导体存储器。这种化合物只需极微弱的电压就可以改变开、关状态,也即代表了存储器中1和0。而且,在外部施加的电压撤除后,这种状态还能得到维持,直至再一次施加电压,这个特性和我们在数码相机和MP3播放器中所使用的闪速存储器相似。

与现有的闪存技术不同的是,这种材料改变状态的速度非常快,如果将它制成新一代存储器,会比现有的闪存擦写速度快100至200倍。在某些对速度要求不高的场合甚至可以代替DRAM。

现今的半导体业界正在苦苦寻觅存储器的“圣杯”,它的出现可以代替现今所有类型的存储器,既具备DRAM的高密度和廉价,又有SRAM的超快速度,同时又像闪存一样具备非易失性。目前在这个领域内跋涉的领军人物是IBM和INTEL,现在飞利浦电子凭借它的新发现也加入到寻找圣杯的竞赛中。

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