半导体业界等待EUV光刻设备已经很多年了，荷兰ASML公司正在出货量产型EUV设备，预计在2016年的10nm节点上正式启动EUV工艺。但跟传闻中Intel抢先使用EUV工艺不同，TSMC台积电反倒是部署EUV工艺最积极的一个，他们将在2016年底的10nm节点上启动EUV工艺。
在日前举办的投资者会议上，ASML公司公布了EUV设备的最新进展及未来预期。他们提到，TSMC公司已经购买了两台量产型NXE：3300B光刻设备，2015年交付，而之前已交付的两台设备则会升级到最新型的NEX:3350B级别。
按照规划，TSMC将在2016年底的10nm工艺节点上正式启用EUV工艺。
此前传闻最早启用EUV工艺的公司是Intel，毕竟他们技术实力最强，而且是ASML的大股东之一。但是Intel对EUV工艺似乎等烦了，也可能是他们技术实力太强了，反正他们此前表态就算没有EUV工艺，他们也懂得如何制造10nm以上的晶体管，所以Intel在10nm节点并不会使用EUV工艺，他们预计在2018年的7nm工艺上才会应用EUV工艺。
目前ASML公司的EUV光刻设备是NXE:3300B，源功率已经提升到80W，每天产能为500片晶圆，下一步预计会提到125W源功率，产能提升到1000片晶圆/天，2016年正式量产型则会提升源功率到250W，产能提升到1500片晶圆/天。
对于未来的预计，ASML认为逻辑电路会最早使用EUV工艺，2016年的10nm节点上就会量产了，NAND闪存预计会在2019开始启用EUV工艺，DRAM及MPU产品则会在2018年进入EUV时代，而EUV工艺则有助于厂商缩小芯片面积，简化工艺。
如果一切顺利，ASML预计2020年前会出货50-60台EUV设备，营收达到120亿美元。
文章出处：超能网
