各家闪存厂商很早就已经开始发力3D NAND垂直闪存的研发，三星是第一家推出成品并开始量产的，他们称之为3D V-NAND，用于新旗舰850 Pro SSD上。接下来Intel也正式宣布了他们的产品，并将其添加到明年的产品路线图中。
图文来自TweakTown
这款3D NAND闪存是Intel高级副总裁、非易失性存储事业群总经理Robert Crooke在今天的投资者电话会议上发布的。据介绍，这款闪存产品来自Intel和美光合资创办的IMFT，将由其位于犹他州的工厂生产。
规格方面，Intel可以说是雄心壮志，首先每die容量翻倍，达到256Gb，堆叠数量最多达到32层，也就是1TB容量，如果改用TLC（3-bit per cell）的话，则可以做到每die 384Gb。Intel宣称他们未来可以做到2mm堆叠厚度塞下1TB的容量，未来两年更是可以做出10+TB的SSD。
更重要的是，3D NAND还有一个重要特性，就是（每单位容量）成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好，可以看到离SSD普及又更进一步了。
一张SD卡的厚度就有2TB的容量，想想还是有些小兴奋的啊。
文章出处：超能网
