三星近日发布了容量高达4GB的高速OneNAND闪存记忆芯片，数据读写性能极佳，可达到108MBps读取速度/10MBps写入速度。
此型号OneNAND记忆芯片厚1.4mm，长宽分别为11mm和13mm，额定工作电压1.8V，可以在500万象素拍照手机上存储250组相册或120个音乐文件。
此款记忆芯片由4片容量1GB的OneNAND记忆体组成，使用90nm生产技术。由于具备了66MHz同步界面和可增强型108MBps读取速度的缓冲读取功能，1GB OneNAND闪存的读取速度要比传统闪存快近4倍。
三星希望此款芯片能够大大加强其高端3G手机的总体性能，为集成PDA、游戏机、便携影音中心等多种特性做铺垫。
三星目前已有容量为128MB至4GB多款OneNAND芯片产品，并开发了专为OneNAND优化的闪存软件XSR（eXtended Sector Remapper），后者不但可以优化3G移动电话、掌上电脑、便携式游戏系统和数码照相机等OneNAND闪存设备的机能，而且还通过数字化设置使OneNAND闪存得到整体简化。
