INQ报道--根据New Scientiset预测,用不了多久,冷却温度达到0.1开氏度(零下273.05摄氏度)的微型冷却单元便会面世。
此微型冷却单元由三层组成,分别为:金属元件、绝缘体以及半导体元件。利用量子隧道效应在电压作用下迫使金属层中的电子穿过绝缘体进入半导体元件。这将使得金属层达到极其低的温度--0.1开氏温度=零下273.05摄氏度。
目前,开发人员已经成功在硅芯片上用氮硅合物封装了4个冷却单元。
INQ报道--根据New Scientiset预测,用不了多久,冷却温度达到0.1开氏度(零下273.05摄氏度)的微型冷却单元便会面世。
此微型冷却单元由三层组成,分别为:金属元件、绝缘体以及半导体元件。利用量子隧道效应在电压作用下迫使金属层中的电子穿过绝缘体进入半导体元件。这将使得金属层达到极其低的温度--0.1开氏温度=零下273.05摄氏度。
目前,开发人员已经成功在硅芯片上用氮硅合物封装了4个冷却单元。