TSMC在28nm、20nm节点上进展最快，这两年赚得盆钵满满，三星、GF等对手则选择了跳过20nm直奔14nm FinFET工艺，反倒可以后来居上。TSMC日前在投资者会议上承认，2015年他们的16nm份额会比竞争对手要少，真正量产要到2016年，下下代的10nm预计在2017年推出。
TSMC日前举办了投资者会议，联席CEO刘德音（Mark Liu）在会议上承认，TSMC的16nm FinFET工艺来得有些晚，因此2015年他们在该工艺上的市场份额会比主要竞争对手要少。现在他们正用该工艺为客户认证产品，2016年16nm FinFET工艺就会大规模量产。
此前的传闻都是说TSMC会在今年Q3季度（最快7月份）开始量产16nm FinFET工艺，但现在看来TSMC的进度没有想象中的那么快（放的一手好烟雾弹），昨天传闻的设备暂停安装看起来也是真的了。2015年TSMC只会少量生产16nm FinFET工艺产品，量产还得等到2016年，至少是一年后了。
三星、Globalfoundries都使用了14nm FinFET工艺，后者还是三星提供授权的，三星虽然生产过20nm工艺，但这两家基本上都跳过了20nm节点，真正量产靠的还是14nm FinFET工艺，所以这两家的进展要比TSMC还快。
TSMC的工艺延期会影响很多客户选择，而且三星在代工价格上更优惠，所以苹果的A9处理器据说70%的订单都交给了三星及GF两家。就连一向最优待遇的高通据说也暂停了TSMC的16nm FinFET工艺试产，准备转向三星14nm FinFET工艺。
这些大客户还可以有别的选择，不过国内准备使用TSMC新工艺的客户可能就有些悲剧了，此前TSMC首次试产16nm FinFET选择的伙伴是海思，他们下一代的8核LTE芯片麒麟930传闻就是该工艺生产的，现在不知道如何了，如果真的延期一年多，海思难道要用麒麟920/925再战一年？
16nm工艺进度晚了，TSMC对下一代的10nm工艺又提出新目标了，CEO表示他们的10nm工艺正在开发中，今年底准备进行质量认证，目前正在跟客户合作流片工作，预计量产时间是2017年。
不过有了16nm FinFET工艺的教训，TSMC的客户应该更小心才是，Intel实力如此强劲，10nm工艺量产也要到2017年了。
