【随机读写性能:痛扁三星】
虽然有NVMe,但是随机读取并没有太好的表现,再次不如三星。
NVMe理论上可以改善低深度的性能,因为它的系统开销更少,但这里NAND闪存成了瓶颈,或许未来换成3D闪存会好一些。
很有趣,Intel、三星在QD16及之前几乎没啥不同,QD32 Intel才爆发,突破了200000 IOPS,而且NVMe还可以支持更高的队列深度,只不过消费级负载根本用不到罢了。
随机写入完爆三星,超越足足60%,低延迟的NVMe应该功不可没。
可以看出Intel的队列深度扩展效率很高,一直到QD8才停下来,三星则只到QD2,而且看看QD1/2时的差距有多大,这说明在随机写入频繁的应用中,SSD 750绝对会是个怪物。