昨天我们才说到TLC闪存会在今年Q4季度占据45%的市场份额，成为主流选择。虽然现在的TLC经过技术升级已经大大改善了性能及可靠性，但从大家的反应来看，TLC闪存的心理接受度并不高。只不过TLC闪存远不是NAND发展的终点，也许用不了多久我们就能看到容量更大、但问题也会更多的QLC闪存了，Intel已经在开发容量可能超过10TB的QLC闪存硬盘了。
目前NAND闪存有MLC、TLC两种，未来将会出现QLC闪存了
我们说的TLC闪存准确来说是3bit MLC，每个Cell单元可以储存3个数据，有23=8个状态，而QLC则是4bit MLC，每个Cell单元能存储4位数据，有24=16个状态，因此QLC闪存的容量更大，成本更低，但4位数据带来的挑战也很大，更精确的电压控制、更复杂的干扰等问题都会影响QLC闪存的性能及可靠性。
目前QLC闪存普遍停留在研究阶段，商业生产还早，但QLC的大容量低成本对厂商来说是个不可抗拒的诱惑，Intel、美光前不久正式发布了3D闪存技术，而3D闪存对发展TLC以及QLC闪存是个良机，传统平面NAND闪存在提升容量及可靠性上日渐乏力，但3D堆栈技术使得闪存可靠性及速度都有所改善。
Intel、美光的3D闪存目前主要是256Gb核心的MLC闪存，今年秋季会推出384Gb核心容量的TLC闪存，而QLC闪存也在开发中，虽然现在还没有确定的时间表，但QLC闪存迟早也会出现在我们的视野中的，届时我们可以在2.5寸硬盘上轻松实现10TB+的容量。
文章出处：超能网
