Galaxy S6、S6 Edge不仅在手机设计上开启了三星的一个新时代，同时在硬件上也是革命性的，因为它首次抛弃了高通骁龙平台，只用自家的Exynos。
高通骁龙810过热，而三星的Exynos 7420却是大红大紫，64位八核架构、14nm工艺、出色的性能，都让它出尽了风头。AnandTech今天也放出了对S6、S6 Edge的完整评测，其中就有Exynos 7420的性能测试。
【神奇的14nm工艺】
Exynos 7420的制造工艺是三星旗下Systems LSI自己开发的14nm LPE (Low Power Early)，而这也是继Intel 14nm之后，第二个达到如此先进程度的半导体工艺，但是Intel的新工艺目前还只用在PC和平板领域，并未进入手机。
得益于先进的工艺，Exynos 7420的核心面积只有大约78平方毫米，相比于20nm LPE工艺、同样八核A57/A53、113平方毫米Exynos 5433缩小了足足44％！而且别忘了，Exynos 7420还多了两个GPU核心，所以能瘦身这么多实在值得佩服。
除了内存控制器从LPDDR3升级为LPDDR4，新处理器的另一个明显变化是移除了HEVC H.265编码器模块，H.265的编码和解码都交给了三星新的MFC(多功能解码)媒体硬件加速模块。
S6主板和处理器等芯片
Exynos 7420内核金属层显微照片
FinFET立体晶体管技术的加入也异常重要，解决了传统平面晶体管在工艺提升后漏电率无法控制的难题，实际效果也非常棒：
Exynos 5433、7420供电电压对比
AVS也就是适应性电压缩放(Adaptive Scaling Voltage)，后边的数字代表不同级别，越大代表芯片质量越好。
FinFET立体晶体管的好处在A57、GPU上体现得尤为明显，电压能降低最多275mV(毫伏)，A53上也能降低最多160mV。
我们知道，功耗和电压的二次方成正比，所以1.9GHz A57的电压从1287.50mV降低到1056.25mV，功耗就能节省48％！
正是利用这样省出来的空间，Exynos 7420才可以跑到更高的频率上，A57、A53最高分别可达2.1GHz、1.5GHz，相比于Exynos 5433都提高了200MHz，而且运行中能一直稳定在较高频率，不像骁龙810那样一会儿就会过热降频。
GPU部分集成了更强大的ARM Mali-T760MP8，八个核心，频率772MHz(低负载最高700MHz)，明显高于Exynos 5433 Mali-T760MP6的六个核心、700MHz(低负载最高600MHz)。
事实上，三星还隐藏了一个852MHz的更高频率状态，但并未启用，看来是留有后招。
哦对了内存，Exynos 7420现在支持LPDDR4-1555，带宽高达24.88GB/s，几乎是上代13.20GB/s的两倍了。
