日前，研究人员已经发现一种制作超薄晶体管的新方法，使用该方法甚至能让晶体管达到惊人的3个原子那种程度的厚度。
据报道，根据今日出版的《自然》杂志上的一篇论文所述，研究人员们已经发现了一种制作超薄晶体管的新工艺。该装置使用了被称为“过渡金属硫属化合物”的新材料（全称为transition metal dichalcogenide），其特点是相当之薄。通常情况下，其薄膜只有几个原子那么厚，但性能却足以用于制造太阳能电池、光感器、或者半导体。
对于物理学家和制造商们来说，其前景相当令人期待。但要让这种材料能够一致性地工作，仍然极度困难。好消息是，今天面世的这篇论文，已经给出了迄今为止最佳的解决方案。
现代芯片制造已经在硅材料性能和密度上遇到了瓶颈，以至于很多人担心摩尔定律会就此被终结。如果电子电路要做到更小更快，那就必须找到超薄的替代材料。
当然，目前研究人员们最关心的，还是其能否在大规模制造过程中，生产出“始终如一”的超薄晶体管，这些问题仍有待于在未来进一步细化。
