现代半导体悄然进行FB-DIMM产品测试 06年上半年可用
  • Mars
  • 2005年08月05日 17:15
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没有任何的公开发布信息,Hynix Semiconductor(现代半导体)开始出货全缓冲双线内存模块(Fully-Buffered Dual in-line Memory Modules ,FB-DIMM)样品,主要为未来的高性能服务器做准备。虽然现代进行此项测试要比其他的竞争对手晚了半年,但是现代承诺其FB-DIMM产品将在2006年上半年正式出货。

现代没有公布任何的FB-DIMM芯片详细规格,包括,时钟频率、内存芯片密度,以及制造工艺等。然而公司暗示其FB-DIMM产品,“采用了JEDEC标准DDR2 SDRAM” 并且将在明年前半年量产的时候提供512MB、1GB和2GB版本。

FB-DIMM利用了典型的DDR2 SDRAM芯片,但是模块的设计却是全新的:在FB-DIMM内部,所有的时钟信号地址,命令以及数据,进出DRAM都是被缓冲的。DIMM上配备有高速Advanced Memory Buffer(AMB)芯片。在高速处理DRAM以及AMB之间的一系列短信号路径的时候,保证可靠的DRAM时差。

和DIMM之间一样,FB-DIMM同样在内存控制器和DIMM总线上采用点对点的串行连接。这种做法通过较短的连接提高了总线的速度,同样也改善了加载到总线上的最大DIMM数,达到了8个2-rank DIMM,涉及到了较小的信号衰减。

Elpida Memory、Micron Technology以及Samsung Electronics已经开始测试并出货各自的FB-DIMM产品样品数月了。

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