Intel Skylake六代酷睿主流平台已经全面登场,但是在高端发烧领域,现在是上上代的Haswell-E,而新的Broadwell-E不但还得等半年,规格上也了无惊喜。
Broadwell虽然在主流市场上主攻移动笔记本平台,但在发烧平台上不会缺席,只是需要慢慢等。它最初计划在2016年初的CES大展上发布,但现已推迟到3月24-28日的德国汉诺威CeBIT。
根据最新曝光的进程表,Broadwell-E要在今年第42周(10月中旬)才会完成第二版工程样品,2016年第2周(1月上旬)方才进入QS质量认证阶段,投产则是2016年2-3月份。
规格方面,Broadwell-E将会升级到14nm工艺,但沿用Haswell-E LGA2011-3封装接口和X99平台,内存仍是四通道DDR4,频率从2133MHz升级到2400MHz,最大核心数还是8个,热设计功耗最高依然是140W。
换句话说,它的进步幅度大致相当于之前的Ivy Bridge-E,基本就是换个新工艺而已,而要想看到更大幅度的跨越,还得再等Skylake-E。