今年2月份，三星宣布量产最新、最快的UFS 2.0闪存芯片，容量高达256GB。而现在，这款闪存的详细信息已经现身三星官网。可以确定的是，这将是未来安卓旗舰的标配。
从三星官网给出的信息来看，该芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1，封装尺寸为11.5x13x1.2mm（仅比32GB闪存厚了0.2mm），MLC采用双传输信道的G3 2Lane规格，是目前规格最高的USF 2.0闪存。
具体性能方面，三星256GB USF 2.0闪存读/写操作IOPS分别可达45,000、40,000，比上一代UFS闪存快了一倍。此外，得益于串行界面以及全双工运行(可同时读写操作)，三星这款UFS 2.0 256GB闪存的持续读、写速度分别可达850MB/s、260MB/s。其中，读取速度比大多数电脑上的SATA SSD都要快。
据悉，这款256GB USF 2.0闪存芯片未来将应用到智能手机、平板以及智能电视上，而三星的下一代机皇Galaxy Note 6有望最先用上。
