据recode报道，三星本周宣布，定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。
事情的背景是，三星本周在美国硅谷会晤多个半导体公司，向他们推介自己的14nm工艺，而所谓的第二代10nm，有媒体认为是14nm FinFET+即10nm级，也有认为就是10nm，但从三星给出的整体效能提升10%来看，前者更靠谱。
其实目前，14nm FinFET+已经导入了骁龙820、三星Exynos 8890等产品，三星希望可以争取到更多半导体客户看到新制程的优越性，另外三星在内存DRAM颗粒上也全球率先完成了10nm级的布局，18nm月初投产。
至于另外两家对手，台积电继续强调今年投产10nm（真10nm），而14nm起了个大早的Intel确定延期到明年。
