随着2K、4K游戏时代以及VR内容的兴起，对显卡的显存提出了更高的要求，包括容量、带宽（速度）、封装大小等。
据报道，现在SK海力士和三星已经投入HBM3的研发中，目前，HBM2已经开始量产，并用于NVIDIA Tesla产品、未来的AMD Vega上去。
相较HBM一代，HBM2实现了最高容量32GB，带宽翻番至1TB/s（HBM2显存单颗粒容量可以达到2GB、4GB和8GB，带宽也从128GB/s翻倍到了256GB/s，最高搭载4组HBM显存，位宽等效4096bit，总带宽高达1024GB/s）。
至于HBM3，带宽最高2TB/s，容量增大到64GB，工业方面，则是新一代的TSV（硅穿孔）技术，堆叠的Hi更紧密，得以容量扩展，但体积不增加。
不过，我们知道，HBM目前都是用在A/N两家的顶级产品上，显然不亲民。本次的HotChips上也分享了可视为HBM1.5的低成本HBM方案，相对于HBM一代，针脚带宽从2Gbps提高到3Gbps,穿孔数减少，对DRAM颗粒的要求也降低。
还有，HBM1.5的位宽会牺牲为512bit。
有趣的是，曾经作为堆叠闪存技术另一家的美光也谈及了HMC，它认为HBM是抄袭了HMC，而且抄得很LOW。
