三星今天在首尔宣布，正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作，进度业界第一，也就是领先台积电和Intel。
去年，三星率先拿出了首个FinFET工艺的移动AP（应用处理器），也就是我们熟知，立下赫赫战功的Exynos 7420。
据悉，三星目前的10nm工艺是10LPE（low-power early），也就是早期低功耗版，这一点和14nm时代的进程一致，后续还会有10nm LPP（low power plus, advanced power processing），预计明年下半年量产，可用于更高性能的芯片。
按照三星给出的参考值，相较14nm，10nm晶体管面积效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。韩国巨头还表示，为了克服比例限制，边缘技术依然沿用了之前的三重切削，以保证节点双向链路的灵活性。
三星称，明年初会正式发布首款消费级的10nm FinFET芯片，毫无疑问，Exynos 8895和骁龙830系列芯片可以放心用了，今天传出的高通10nm转单台积电应该是“不攻自破”了。
