Flash内存未来对手?RRAM问世
  • ZNXF
  • 2005年11月24日 09:28
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INQ援引《Nikkei Business Daily》报导,日本NTT实验室已经研发出一种RRAM(resistance random access memory),相比目前的Flash闪存其功耗更低且速度更快。

报道中指出这种内存使用了铁电物质铋钛化合物和FeRAM(铁电存储器)。

RRAM的优点还包括:非挥发性,可利用现有生产技术,制作材料不难找。

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