INQ援引《Nikkei Business Daily》报导,日本NTT实验室已经研发出一种RRAM(resistance random access memory),相比目前的Flash闪存其功耗更低且速度更快。
报道中指出这种内存使用了铁电物质铋钛化合物和FeRAM(铁电存储器)。
RRAM的优点还包括:非挥发性,可利用现有生产技术,制作材料不难找。
INQ援引《Nikkei Business Daily》报导,日本NTT实验室已经研发出一种RRAM(resistance random access memory),相比目前的Flash闪存其功耗更低且速度更快。
报道中指出这种内存使用了铁电物质铋钛化合物和FeRAM(铁电存储器)。
RRAM的优点还包括:非挥发性,可利用现有生产技术,制作材料不难找。