2016年11月17日，纽约及首尔——Qualcomm Incorporated（NASDAQ: QCOM）今日宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc.（QTI）和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造Qualcomm Technologies最新款顶级处理器——Qualcomm®骁龙™835处理器。
在下一代顶级处理器中采用三星先进制程的决定，突显了Qualcomm Technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。
Qualcomm Technologies. Inc.产品管理高级副总裁Keith Kressin表示：“我们非常高兴继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用，预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。”
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示：“我们很高兴有机会与Qualcomm Technologies进行密切合作，采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。
