[趋势——新技术已然成熟]
DDR2是今年仅次于PCI Express的第二大技术革命，这次Intel联合了众多DRAM模组厂商的支持，让DDR2内存的价格在短短半年内数次跳水，到现在为止，DDR2的售价甚至比DDR SDRAM还低，现在的DDR2已经完全具备取代DDR SDRAM的实力。
DDR是在SDRAM的基础上发展而来，最大的特点就是采用了沿触发技术。为了满足双向触发的要求，DDR内存对芯片的结构进行了改进，使用了“2bit Prefetch（2bit预取）”技术。DDR的双向触发只发生在模组和内存控制器的接口部分，在DDR芯片内部，一个时钟周期依然只能传输一次数据。以4bit为宽的DDR芯片为例，Cell矩阵在时钟周期的上升沿触发生，一次传送8bit单位的数据，这8bit数据接着被转换成4bit单位的两道数据流进入I/O缓存中，然后在时钟频率周期的上升沿传送一道，下降沿传送一道。除了在性能上的增加之外，DDR内存模组的容量也得到了提高，但需要注意的是，DDR内存的延迟时间并不会因为双向触发技术而减半，和SDRAM依旧相同。
DDR266在133MHz下的物理传输频率可以达到266MHz，此时的信号干扰并不明显，但随着DDR333标准的出现，信号干扰问题开始突出，这也导致了初期良品率不高，DDR333芯片难以量产，这个问题在DDR400的时候变的更加严重。
DDR2时代到来：
DDR2内存起步为DDR2 400，发展出了533、667、*800。DDR2是在DDR的基础上改进而来，逻辑构架和物理结构都有了不少的进步，着重点放在了降低干扰，功耗和提高工作频率下的工作稳定性。
DDR使用“2bit Prefetch”技术，而DDR2内存拥有“4bit Prefetch”技术的数据预读取能力，也就是4位数据预取，这也是DDR2内存最重要的改进。虽然与DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是在同等核心频率下，DDR2拥有两倍于DDR的数据传输率。
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。然而，这个方法虽然可以有效果提高内存带宽，但也有它最主要的缺点就是高延迟。内存延迟不取决于I/O缓冲区的工作频率或数据从存储单元进入总线的位宽多少。影响延迟的主要因素是内存存储单元自身的延迟。
从早期DDR2的表现来看，同DDR相比起来并没有占到多少便宜，反而是DDR2内存受高延迟的影响，性能要略逊色于同频的DDR内存平台。因此目前支持DDR2 SDRAM的内存厂商一些努力解决这个问题，现在他们取得了一定的成绩。在基于i915/925芯片组的平台上，早期DDR2-533 SDRAM内存仅能工作在4-4-4 timings的模式下。不过现在这种情况已经有所改观，许多内存制造商，特别象Corsair或OCZ等，都已经推出了支持3-3-3 timings规格、工作频率为533MHz甚至667MHz的DDR2 SDRAM内存模块。而这些内存模块并非通过超频获得的，而是完全符合JEDEC标准。
内存芯片的工作频率可细分成DRAM的核心频率，外部时钟频率和数据传输频率。对于SDRAM芯片来说，以上三者是等同的，也因此统称为工作频率。DDR的核心频率与外部时钟频率相同，但数据传输率是时钟的两倍。而DDR2则全然不同，三者完全分开。DDR2的核心频率只有时钟频率的一半，而时钟频率又是数据传输频率的一半，因为DDR2的数据传输频率是DRAM核心频率的四倍。正是因为这样的方式，使得人们误认为DDR2可以在每个时钟周期传输四次数据，但DDR2在每个时钟周期依然也只能传输两次数据，这与DDR是完全一样的。
现在的DRAM内部都采用4个bank的结构，每个bank由存储单元队列构成，存储单元队列通过行和列地址定位。从内存的读操作中可以了解到内存工作的几个瓶颈，它们分别是内存单元的再存储和预充电的延时，这个延迟属于bank内部的延迟，由于DRAM结构的限制这个延迟本身不太好解决。还有内部数据总线的频率限制，内部数据总线是连接DRAM颗粒中4个bank的总线，最后一个DRAM的瓶颈是输入/输出电路的延迟。
这样，在数据传输频率相同的情况下，DDR2芯片的核心频率只有DDR芯片的一半，而两者要供各的数据量必须相同，所以DDR2的Cell矩阵核心一次传输的数据量必须是DDR Cell矩阵核心的两倍才能将这个问题解决。现在我们知道了DDR2 Cell矩阵必须是芯片位宽的四倍，在配合上图，我们就可以知道DDR2芯片内部的工作原理和流程。对4bit的DDR2来说，Cell矩阵每个工作周期要提供16bit的数据，然后这些数据被分成两个数据流，每个数据流为8bit，再将这两个数据流分别传输给中转中转逻辑处理单位，这个步骤的时间是必须相同的。正如上图所显示的，后面的步骤就与DDR相同，8bit数据被转换为4bit数据然后分为两道数据流送入I/O缓存中，然后在钟频率周期的上升沿传送一道，下降沿传送一道。到此DDR2核心就能够以数据频率的1/4、时钟频率的一半运行。这就是“4bit Prefetch”技术。
DDR2内存采用FBGA封装，提供了比TSOP封装更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的提升提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了更小的功耗与更小的发热量。
片内终结器：
DDR2另外一个比较重要的改进就是采用了“片内终结器”，使得在DDR时代就一直困扰人们的内存兼容性问题得到了巨大的改善。DDR2直接在芯片内部设计了终结逻辑单元，而不是像有些DDR那样仅将电阻安装在模块上（正是由于每个数据线必须对应一个终结电阻，无形中增加了内存的成本和制造难度，且在终结电阻方面业界没有一个标准，致使DDR的内存兼容性问题极为严重）。由于终结逻辑单元自身所占用的晶体管数量极少，所以成本极低，且ODT的开关与否则完全由内存控制器控制，所以在内存兼容性方面，DDR2相比较于DDR内存来说更加出色稳定。
