摩尔不败?Intel发现新材料 芯片技术获突破
  • Mars
  • 2005年12月08日 14:50
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Intel美国当地时间7日,宣布开发出了一款新的、更快速、功耗更低的电子晶体管原型,该晶体管采用了新材料制造。Intel表示将可用于基本的微处理器以及其他的芯片组制造上,预计将从今后的下一个十年开发期的后半段开始。

Intel和英国的QinetiQ公司共同合作开发,新晶体管采用了锑化铟(元素符号:InSb)作为新材料来传导电流,晶体管控制电流在内部的流动。试验证明新的晶体管原型要比目前所普遍采用的晶体管速度要快,而且功耗更低。Intel希望用这种新材料来补充硅(silicon)的不足,来进一步的延展摩尔定律。

此次发表的新的电子晶体管工作电压仅为0.5 V,和现行的CPU相比将能够大幅度削减电力消耗,值得期待。

Intel官方文件:http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20051207corp.htm

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