国产存储器基地项目在武汉正式开工!总投资240亿美元
  • 朝晖
  • 2017年01月03日 09:27
  • 0

据报道,总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。

据悉,2020年全面建成后,年产值将超过100亿美元,实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

存储器是信息系统的基础核心芯片,最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺,同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。

国产存储器基地项目在武汉正式开工!总投资240亿美元

国产存储器基地项目在武汉正式开工!总投资240亿美元

国产存储器基地项目在武汉正式开工!总投资240亿美元

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部0条评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0