内存厂商在90nm工艺上遇到障碍
  • P2MM
  • 2005年12月14日 08:23
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全球内存厂商之前在0.13微米制程向0.11微米制程过渡当中遇到不小困难,现在这些内存厂商又在0.09微米制程应用上遇到障碍。除了三星电子0.09微米制程内存产出百分比突破50%之外,其它内存厂商仍在8-25%之间,这些内存厂商再次陷入生产制程无法突破的困境当中。

台湾内存厂商表示,内存生产制程转换需要耗费大量物力财力,不少内存厂商2-3月前才从0.13微米制程转换到0.11微米制程,因此0.09微米制程应用需要耗费更多的时间来完成。不过这些内存厂商都认为从0.11向0.09微米制程转换的代价小于0.l3向0.11微米制程转换的代价。

分析人士认为,业界最大的内存厂商三星电子前后耗费1年时间用在0.09微米制程研发上,因此可以顺利投产0.09微米制程DRAM产品,尽管如此,0.09微米制程DRAM只占到总出货量的50%,还是低于预期。至于台湾DRAM厂商,分析人士认为,要到明年下半年或者07上半年,才能转移到0.09微米制程生产线上。

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