AMD已经和Innovative Silicon Inc.(ISI)公司达成协议，获得了后者高密度缓存技术的授权。ISI是一家新兴公司，他们开发的Z-RAM技术可使处理器的缓存容量提高5倍之多，同时不会增大处理器核心面积。
AMD技术开发副总裁Craig Sander表示：“ISI的Z-RAM嵌入式存储技术可以有效提高存储密度，从而提供更大容量的处理器缓存，以此提升处理器性能，同时降低输入输出功耗。”
Z-RAM技术中的单一晶体管DRAM存储器所需要的电容数量更少，因此能有效遏制SOI设备上的浮体效应。这种技术可以将现有嵌入式DRAM内存密度提高2倍，处理器缓存所用的SRAM内存密度更是可以提高5倍，同时无需特殊材料或额外的生产步骤。Z-RAM技术需要SOI技术的配合，因此对AMD来说非常合适。
Craig Sander说：“我们查看了ISI提供的数据，认为这种技术非常有前途。不过我们仍然需要保证新技术能在我们自己的产品中工作良好。我们需要进一步检验它的弹性，还需要拿出我们自己的测试设备。”
据悉，AMD将在德国德累斯顿Fab 30、Fab 36工厂中的90nm工艺和65nm工艺中使用新的缓存技术，但AMD没有透露何时会将新技术投入实用。
虽然AMD近年来对Intel取得了不少胜利，但在处理器缓存容量方面一直处于落后地位。在桌面市场，AMD处理器的二级缓存容量普遍低于1MB，而Intel最多可提供4MB；在服务器领域，AMD能够达到2MB以上，而Intel的8MB有着非常明显的优势。
