韩国厂商SamSung三星今天公布了旗下内存发展的最新蓝图:
1/三星在今年第四季度继续推动DDR400内存的普及
2/三星在下半年同时增加DDR333内存的产量,规格从2.5v/128Mb提升到2003年第一季度的2.5v/256Mb,在
明年底,DDR333内存的容量将提升到1Gb。
3/三星已经出货512Mb DDR-II内存样品,在今年第四季度,三星将发布1.8v/667/533/400 DDR-II内存。
4/三星将在明年使用“G-die”芯片推出显示卡专用221/166MHz SDR显存
5/三星明年发布2.5v工作电压的800/400 GDDR SDRAM内存,明年下半年推出1400/666Mbps的GDDR-II SDRAM